低电压4兆位（ 512K ×8位） EEPROM MCM
79LV0408
M
IN1
1
1
M
AX
--
--
ns
150
150
--
--
ns
150
150
--
--
µs
100
100
--
--
µs
1
1
--
--
U
NIT
µs
T
ABLE
8. 79LV0408 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
W
RITE
O
PERATIONS
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
字节负载循环
-200
-250
时间到设备忙
-200
-250
写开始时间
3
-200
-250
RES写建立时间
-200
-250
V
CC
到RES建立时间
4
-200
-250
1.在一个较长的周期大于该值，请使用此divice 。
2.
t
WC
必须大于该值，除非轮询技术或RDY / BUSY使用。该设备自动完成
在该值的内部写入操作。
3.
下一个读操作或写操作吨后启动
DW
如果轮询技术或RDY /忙中使用。
4.通过设计保证。
S
YMBOL
t
BLC
S
UBGROUPS
9, 10, 11
t
DB
9, 10, 11
t
DW
9, 10, 11
t
RP
9, 10, 11
t
水库
9, 10, 11
内存
T
ABLE
9. 79LV0408 M
ODE
S
选举1 ， 2
P
ARAMETER
读
待机
写
DESELECT
写禁止
数据轮询
节目
1， X =无关。
2.参考建议的直流工作条件。
3.对于CE
1-4
只有一个CE可以被使用（ “接通” ）的时间。
CE
3
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
--
--
数据输出（ I / O7 ）
高-Z
水库
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY
高-Z
高-Z
高阻--> V
OL
高-Z
--
--
V
OL
高-Z
05年1月11日第七版
所有数据表如有变更，恕不另行通知
6
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