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79LV0408RT4FK-20 参数 Datasheet PDF下载

79LV0408RT4FK-20图片预览
型号: 79LV0408RT4FK-20
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内容描述: 低电压4兆位( 512K ×8位) EEPROM [Low Voltage 4 Megabit (512k x 8-bit) EEPROM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 20 页 / 355 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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79LV0408
低电压4兆位
( 512K ×8位) EEPROM
CE
1
RS
E
R
/B
WE
OE
A
0-16
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-7
逻辑图
内存
F
EATURES
:
•四个128K ×8位的EEPROM MCM
• R
AD
-P
AK
®抗辐射抗自然
空间辐射
•总剂量硬度:
- > 100拉德(SI ) ,根据航天任务
•卓越的单粒子效应
- SEL > 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
??包装:
• - 40针ř
AD
-P
AK
®扁平封装
• - 40针X射线朴
TM
扁平封装
• - 40针抗辐射,耐扁平封装
•高速:
-200和250 ns访问时间
可用的
•数据查询和就绪/忙信号
•软件数据保护
•通过RES引脚写保护
•高耐力
- 10,000擦除/写入(在页面模式) ,
- 10年的数据保留
•页写模式: 1到128字节页
•低功耗
- 88毫瓦/ MHz的工作模式
- 440 μ W待机模式
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79LV0408多芯片模块( MCM )
内存拥有超过100拉德( Si)的总剂量耐受
ANCE ,根据航天任务。利用麦克斯韦技
奥希斯专利的抗辐射ř
AD
-P
AK
® MCM
包装技术,该79LV0408是第一辐射
硬化4兆位MCM EEPROM的空间应用。
该79LV0408使用四个1兆的高速CMOS死
产生4兆的产品。该79LV0408是能够在-系
TEM电字节和分页编程。它有一个128
字节的页编程功能,使其擦除和写入
操作更快。它还具有数据查询和就绪/
忙信号,表示已完成擦除和编程的
明操作。在79LV0408 ,硬件数据保护
所提供的RES引脚,除了噪声保护
WE信号。软件数据保护利用实施
JEDEC的可选标准算法。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽,同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上的R
AD
-P
AK
®包提供
大于100拉德( Si)的辐射剂量耐受性。本产
UCT可与筛选高达麦克斯韦技术
自定义的类K.
05年1月11日第七版
所有数据表如有变更,恕不另行通知
1
( 858 ) 503-3300 - 传真: ( 858 ) 503-3301- www.maxwell.com
©2005麦克斯韦技术
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