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    79LV0832RT1QE-25 参数 Datasheet PDF下载

    79LV0832RT1QE-25图片预览
    型号： 79LV0832RT1QE-25
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 256K ×32位），低电压的EEPROM MCM [8 Megabit (256K x 32-Bit) Low Voltage EEPROM MCM]
    分类和应用： 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 21 页 / 459 K
    品牌： MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
     浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第4页浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第8页浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第9页浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第10页浏览型号79LV0832RT1QE-25的Datasheet PDF文件第11页  
    低电压8兆位（ 256K ×32位） EEPROM MCM
    79LV0832
    T
    ABLE
    8. 79LV0832 AC ê
    LECTRICAL
    C
    极特
    P
    AGE
    /D
    字
    E
    RASE和
    P
    AGE
    /D
    字
    W
    RITE
    O
    PERATION
    (V
    CC
    = 3.3V ±10 ％ ，T
    A
    = -55
    TO
    +125°C)
    P
    ARAMETER
    数据锁存时间
    -200
    -250
    字节加载窗口
    -200
    -250
    字节负载循环
    -200
    -250
    时间到设备忙
    -200
    -250
    写开始时间
    3
    -200
    -250
    RES写建立时间
    4
    -200
    -250
    V
    CC
    到RES建立时间
    4
    -200
    -250
    1.在一个较长的周期大于该值，请使用此设备。
    2.
    t
    WC
    必须大于该值，除非轮询技术或RDY / BUSY使用。该设备自动完成
    在该值的内部写入操作。
    3.
    下一个读操作或写操作吨后启动
    DW
    如果轮询技术或RDY /忙中使用。
    4. DESGIN保证。
    S
    YMBOL
    t
    DL
    S
    UBGROUPS
    9, 10, 11
    700
    750
    t
    BL
    9, 10, 11
    100
    200
    t
    BLC
    9, 10, 11
    1
    1
    t
    DB
    9, 10, 11
    100
    120
    t
    DW
    9, 10, 11
    250
    250
    t
    RP
    9, 10, 11
    100
    100
    t
    水库
    9, 10, 11
    1
    1
    --
    --
    --
    --
    µs
    --
    --
    µs
    --
    --
    ns
    30
    30
    ns
    --
    --
    µs
    --
    --
    µs
    M
    IN 1
    M
    AX
    U
    尼特
    ns
    内存
    05年1月10日8版本
    所有数据表如有变更，恕不另行通知
    7
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    版权所有

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