低电压8兆位( 256K ×32位) EEPROM MCM
79LV0832
高数据输入后100μ秒, EEPROM自动进入写模式和数据输入的写入
EEPROM 。
WE ,CE引脚工作
在写周期,地址由WE或CE的下降沿锁存的,并且数据是通过的上升沿锁存
WE或CE 。
数据轮询
数据查询功能,允许确定EEPROM的状态。如果EEPROM被设置为读模式期间
写周期,数据的最后双字的反转待装载的输出从I / O 7,15 ,23, 31 ,以指示
EEPROM被执行写操作。
RDY / BUSY信号
RDY /忙信号也允许比较操作,以确定对EEPROM的状态。在RDY /忙信号
变为低电平(Ⅴ
OL )
后的第一个写信号。在写周期时,RDY /到高状态遇忙返回的端部(Ⅴ
OH
).
RES信号
内存
当RES为低电平(V
L
) , EEPROM中不能被读或编程。 EEPROM中的数据必须由被保护
保持RES低时, V
CC
是打开和关闭电源。 RES要高(V
H
)在读取和编程操作。
数据保护
操作和电源开/关过程中保护数据时,EEPROM已经如下所述的内部功能。
1.数据保护在V
CC
开/关
当V
CC
被打开或关闭,由外部电路,例如CPU产生的控制引脚,噪声可能会变成EEPROM为
编程模式错误。为了防止这种意外的编程操作时,EEPROM必须保持在一个不可编程
在V状态
CC
开/关通过使用CPU复位信号RES引脚。
05年1月10日8版本
所有数据表如有变更,恕不另行通知
13
©2005麦克斯韦技术
版权所有