低电压8兆位( 256K ×32位) EEPROM MCM
79LV0832
T
ABLE
8. 79LV0832 AC ê
LECTRICAL
C
极特
P
AGE
/D
字
E
RASE和
P
AGE
/D
字
W
RITE
O
PERATION
(V
CC
= 3.3V ±10 % ,T
A
= -55
TO
+125°C)
P
ARAMETER
数据锁存时间
-200
-250
字节加载窗口
-200
-250
字节负载循环
-200
-250
时间到设备忙
-200
-250
写开始时间
3
-200
-250
RES写建立时间
4
-200
-250
V
CC
到RES建立时间
4
-200
-250
1.在一个较长的周期大于该值,请使用此设备。
2.
t
WC
必须大于该值,除非轮询技术或RDY / BUSY使用。该设备自动完成
在该值的内部写入操作。
3.
下一个读操作或写操作吨后启动
DW
如果轮询技术或RDY /忙中使用。
4. DESGIN保证。
S
YMBOL
t
DL
S
UBGROUPS
9, 10, 11
700
750
t
BL
9, 10, 11
100
200
t
BLC
9, 10, 11
1
1
t
DB
9, 10, 11
100
120
t
DW
9, 10, 11
250
250
t
RP
9, 10, 11
100
100
t
水库
9, 10, 11
1
1
--
--
--
--
µs
--
--
µs
--
--
ns
30
30
ns
--
--
µs
--
--
µs
M
IN 1
M
AX
U
尼特
ns
内存
05年1月10日8版本
所有数据表如有变更,恕不另行通知
7
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