79LV0832
8兆位( 256K ×32位)
低电压的EEPROM MCM
内存
F
EATURES
:
• 256K ×32位的EEPROM MCM
• R
AD
-P
AK
®抗辐射抗自然
空间辐射
•总剂量硬度:
- >100拉德(SI )
- 在相关轨道
•卓越的单粒子效应
- SEL
TH
> 84.7兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 26.6兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 11.4兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
•高耐力
- 10,000次/ DWORD , 10年的数据保留
•页写模式: 2× 128 DWORD页
•高速:
- 最大的200和250 ns访问时间
•自动编程
- 15毫秒自动翻页/ DWORD写
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 79LV0832多芯片模块( MCM )
内存拥有超过100拉德( Si)的总剂量耐受
ANCE ,取决于轨道。利用麦克斯韦技术'巳
ented抗辐射ř
AD
-P
AK
® MCM封装
技术, 79LV0832是第一辐射加固8
兆MCM EEPROM空间应用。该79LV0832
使用8个1兆位高速CMOS裸片,得到8
兆品。该79LV0832能够在系统中elec-
Trical公司DWORD和页面编程。它有一个128 ×32字节
网页编程功能,使其擦除和写入操作
系统蒸发散得更快。它还具有数据查询和就绪/忙
信号来指示完成擦除和编程的
操作。在79LV0832 ,硬件数据保护是亲
vided与RES引脚。软件数据保护imple-
mented采用JEDEC标准的算法。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽,同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上,R
AD
-P
AK
® “提供大于100
拉德( Si)的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选高达麦克斯韦技术自定义的类
K.
05年1月10日8版本
所有数据表如有变更,恕不另行通知
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