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89C1632RPQH-25 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 89C1632RPQH-25
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内容描述: 16兆位( 512K ×32位), MCM SRAM [16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 200 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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89C1632
16兆位( 512K ×32位)
MCM SRAM
16兆位( 512K ×32位) SRAM MCM
CS 1-4
地址
OE , WE
动力
4MB SRAM
4MB SRAM
4MB SRAM
4MB SRAM
MCM
内存
I / O 0-7
I / O 8-15
I / O 16-23
I / O 24-31
逻辑图
F
EATURES
:
•四个512K ×8 SRAM架构
• R
AD
-P
AK
®技术变硬对自然空间辐射
化技术
•总剂量硬度:
- > 100拉德(SI ) ,根据航天任务
•卓越的单粒子效应:
- SEL > 101MeV厘米
2
/毫克
- SEU阈值= 3兆电子伏特厘米
2
/毫克
- SEU饱和截面: 6E - 9厘米
2
/位
•封装: 68引脚四方扁平封装
•快速存取时间: 20日, 25日和30纳秒
•完全静态存储器 - 无时钟或定时选通
需要
•内部旁路电容
•高速硅栅CMOS技术
• 5V或3V ± 10 %电源
•平等的地址和芯片使能存取时间
•三态输出
•所有输入和输出为TTL兼容
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 89C1632高性能的16兆
位的多芯片模块( MCM)的静态随机存取存储器
拥有超过100拉德( Si)的总剂量耐受性,
根据太空任务。四个4兆位的SRAM芯片
和旁路电容器被掺入了高可靠
密封四方扁平封装陶瓷封装。凭借高性
曼斯硅栅CMOS技术, 89C1632降低
功耗,并且消除了对外部
时钟或定时选通。它配备有输出使能
( OE )和四字节使能( CS1 - CS4 )输入允许更大
系统的灵活性。当OE输入为高时,输出被强制
为高阻抗。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。在地球同步轨道上,R
AD
-P
AK
提供真正的大于100
拉德( Si)的总辐射剂量的耐受性,取决于空间
使命。它省去了框屏蔽而provid-
荷兰国际集团所需的辐射屏蔽在轨道上或一辈子
太空任务。本产品可与筛选高达
麦克斯韦技术自定义类K.
05年1月10日修订版3
所有数据表如有变更,恕不另行通知
1
( 619 ) 503-3300 - 传真: ( 619 ) 503-3301 - www.maxwell.com
©2005麦克斯韦技术。
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