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89LV1632 参数 Datasheet PDF下载

89LV1632图片预览
型号: 89LV1632
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内容描述: 16兆位( 512K ×32位)低电压SRAM MCM [16 Megabit (512K x 32-Bit) Low Voltage MCM SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 199 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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16兆位( 512K ×32位)低电压SRAM MCM
T
ABLE
4. 89LV1632 ð
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC
I
SB
I
SB1
I
LI
V
ARIATIONL
所述的值,在表5 + 10%
所述的值,在表5 + 10%
所述的值,在表5 + 10%
所述的值,在表5 + 10%
89LV1632
T
ABLE
5. 89LV1632 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
平均工作电流
周期时间:
35纳秒
待机电源电流
CMOS备用电源
当前
输出低电压
输出高电压
输入电容
1
CS1 - CS4 ,
OE , WE
I / O0-7 , I / O8-15 , I / O16-23 ,
I/O24-31
A0 - A18
输出电容
1
1.设计保证。
S
YMBOL
T
美东时间
C
ONDITIONS
I
LI
I
LO
I
CC
V
IN
= 0至V
CC
CS = V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期, 100 %占空比, CS = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS = V
IH
,最小周期
CS > V
CC
- 0.2V , F = 0兆赫,V
IN
& GT ;
V
CC
- 0.2V或
V
IN <
0.2V
I
OL
= + 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
V
IN
= 0 V
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
--
M
IN
-8.0
-8.0
T
YP
--
--
--
640
240
40
mA
mA
M
AX
+8.0
+8.0
U
尼特
uA
uA
内存
mA
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
C
IN
1, 2, 3
1, 2, 3
4, 5, 6
--
2.4
--
--
0.4
--
7
28
7
7
28
V
V
pF
C
OUT
V
I / O
= 0 V
4, 5, 6
8
pF
T
ABLE
6. 89LV1632 AC Ø
操作摄像机
C
ONDITIONS和
C
极特
(V
CC
= 3.3+ 10%, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入脉冲电平
输出定时测量参考电平
05年8月18日REV 3
M
IN
0.0
--
T
YP
--
--
M
AX
3.0
1.5
U
尼特
V
V
所有数据表如有变更,恕不另行通知
3
©2005麦克斯韦技术。
版权所有。