89LV1632
16兆位（ 512K ×32位）
低电压SRAM MCM
16兆位（ 512K ×32位） SRAM MCM
CS 1-4
地址
OE ， WE
89LV1632
动力
4MB SRAM
4MB SRAM
4MB SRAM
4MB SRAM
地
MCM
内存
I / O 0-7
I / O 8-15
I / O 16-23
I / O 24-31
逻辑图
F
EATURES
:
•四个512K ×8 SRAM芯片
• R
AD
-P
AK
®技术变硬对自然空间辐射
化技术
•总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
•卓越的单粒子效应：
- SEL > 101MeV厘米
2
/毫克
- SEU阈值= 3兆电子伏特厘米
2
/毫克
- SEU饱和截面： 8E- 9厘米
2
/位
•封装： 68引脚四方扁平封装
•完全静态存储器 - 无时钟或定时选通
需要
•内部旁路电容
•高速硅栅CMOS技术
• 3.3 V± 10 ％电源
•平等的地址和芯片使能存取时间
•三态输出
•所有输入和输出为TTL兼容
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 89LV1632高性能的16兆
位的多芯片模块（ MCM）的静态随机存取存储器
拥有超过100拉德（ Si）的总剂量耐受性，
根据太空任务。四个4兆位的SRAM芯片
和旁路电容器被掺入了高可靠
密封四方扁平封装陶瓷封装。凭借高性
曼斯硅栅CMOS技术， 89LV1632降低
功耗，并且消除了对外部
时钟或定时选通。它配备有输出使能
（ OE ）和四个字节的芯片使能（ CS1 - CS4 ）输入允许
更大的系统灵活性。当OE输入为高电平时，输出为
强制为高阻抗。
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
®包装提供了更大的
超过100拉德（ Si）的总辐射剂量的耐受性，依赖性
在太空任务。它省去了框屏蔽
同时提供了所需的辐射屏蔽，用于在一生
轨道或太空任务。本产品可用
筛选了麦克斯韦技术自定义类K.
05年8月18日REV 3
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
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