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97SD3232RPMI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 97SD3232RPMI
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内容描述: 的1Gb SDRAM的8梅格×32位×4 -银行 [1 Gb SDRAM 8-Meg X 32 Bit X 4-Banks]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 39 页 / 745 K
品牌: MAXWELL [ MAXWELL TECHNOLOGIES ]
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97SD3232
1千兆SDRAM
8梅格×32位×4 -银行
逻辑图
(一放大器)
内存
F
EATURES
:
• 1千兆( 8梅格×32位× 4 -银行)
• RAD- PAK®抗辐射对自然空间
辐射
•总剂量硬度:
>100拉德(SI ) ,根据航天任务
•卓越的单粒子效应:
SEL
TH
> 85兆电子伏/毫克/平方厘米25°C
• JEDEC标准的3.3V电源
•时钟频率: 100 MHz工作
•工作tremperature : -55至+125°C
•自动刷新
•单脉冲RAS
• 2突发序列变异
顺序(BL = 1 /2/4 /8)
交错( BL = 1/2/4/8 )
•可编程CAS延时: 2/3
•掉电和时钟挂起模式
?? LVTTL兼容的输入和输出
•封装: 132引脚四方协议栈包扁包
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“同步动态随机
存取存储器(SDRAM )非常适合用于空间
需要高性能计算应用和
高密度存储器。随着微处理器
对于更高密度的MEM-增加速度和需求
储器升级, SDRAM中已被证明是最终的
通过提供位计数到1千兆位和溶液
最高速度为100兆赫。 SDRAM的代表显
在超过传统的内存技术着的优势
DRAM中包括同步脉冲串的数据的能力
在高速率下具有自动列地址的产生,
银行前掩蔽之间交错的能力
充电时间
麦克斯韦技术的专利ř
AD
-P
AK
®
包装
技术结合辐射屏蔽的微
电路封装。它省去了框屏蔽
在轨道或太空任务的一生。在一个典型的GEO
轨道,R
AD
-P
AK
®
提供超过100 krads (SI )
辐射剂量的耐受性。本产品可与
筛选了麦克斯韦技术自定义的类
K.
所有数据表如有变更,恕不另行通知
05年1月11日第2版
1
( 858 ) 503-3300 - 传真: ( 858 ) 503-3301 - www.maxwell.com
©2005麦克斯韦技术
版权所有。