1.25GB （ 8梅格×40位× 4 -银行） SDRAM
DQM真值表
C
OMMAND
字节（ DQ0到DQ39 ）写使能/输出
启用
字节（ DQ0到DQ39 ）写禁止/输出显示
ABLE
S
YMBOL
ENB
面膜
CKE =
N
-1
H
H
CKE =
N
x
x
97SD3240
DQM
L
H
注： H： V
IH
L： V
IL
X V
IH
或V
IL
写：我
DID
需要
阅读：我
国防部
需要
SDRAM中可以通过DQM的装置掩盖输入/输出数据。
在读取期间，输出缓冲器通过设置DQM为低，使输出的数据设置为低态。在另一
一方面，当DQM设定高时，输出缓冲器变成高阻抗，禁止数据的输出。
内存
在写入过程中，数据被写入设置DQM为低。当DQM设置为高，则先前的数据被保持
（新的数据不被写入） 。期望中的数据可以突发读取或设置DQM突发写入过程中被掩盖..
有关详细信息，请参阅SDRAM操作指令的DQM控制部分。
CKE真值表
C
光凭目前
S
TATE
活跃
任何
时钟暂停
空闲
空闲
空闲
断电进入
自刷新
掉电
掉电退出
自刷新退出（ SELFX ）
C
OMMAND
时钟挂起模式进入
时钟暂停
时钟挂起模式退出
自动刷新命令（ REF）的
自刷新条目（SELF ）
N
-1
N
CS
x
x
x
L
L
L
HL
L
L
H
RAS
x
x
x
L
L
H
x
H
H
x
CAS
x
x
x
L
L
H
x
H
H
x
WE
x
x
x
H
H
H
x
H
H
x
A
地址H1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
H
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
L
H
H
L
L
L
H
H
H
注： H： V
IH
L： V
IL
X V
IH
或V
IL
05年2月4日修订版3
所有数据表如有变更，恕不另行通知
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