核事件探测器
HSN-500
V
B
8
9
门槛
调整
V
H
14
V
L
1
Ω
10 k
探测器
（ PIN二极管）
2
NED
扩音器
脉冲定时器
位
6
LED
7
5
4
GND
C
RC
逻辑图
F
EATURES
:
•
•
•
•
•
•
•
•
•
检测电离辐射脉冲
经测试/认证检测阈值电平
可调规避期
100％的可测试具有内置测试
检测阈值可调
+ 5V单电源工作
设计，在抗辐射
符合MIL -PRF - 38534 H级
1
扁平封装（ F）或DIP （L ）封装
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ HSN- 500抗辐射杂种
核事件检测（ NED ）检测电离辐射脉冲
由核事件产生，如核引爆
武器，并迅速切换，从正常的高输出
状态，以小于20的传播延迟时间为低电平状态
纳秒。活性低核事件检测信号（NED ）用于
以引发各种各样的规避功能，从而防止来自
荷兰国际集团心烦和电子元件烧坏。在NED输出
还用于初始化硬件和软件两者的恢复。这
高速， 14针杂交检测器用于在电子系统中
作为一个通用的规避装置，以保护存储器，
停止数据处理，和驱动电源开关以及
信号夹。
在HSN -500被设计为通过三个关键envi-操作
境下：电离剂量率[ 10
12
RAD （SI ） / S] ，γ总剂量
[10
6
拉德（Si）的]和中子通量[ 5×10
13
牛顿/厘米
2
] 。此外，该
装置被设计在整个瞬态中子功能
脉搏。混合动力的分立设计保证了控制的响应
在这些辐射的环境中，以及抗闭锁能力。
每一个样品的检测水平和功能HSN-
500生产批号在电离剂量率测试环境
换货。证书提供报告的测试结果
生产批号。
将HSN- 500的检测阈值之内的可调
2× 10范围内
5
拉德（硅） / s至2×10
7
RAD （SI ） /秒。该检测水平
可以通过麦克斯韦或预置由使用者调节。比少
在检测阈值30 ％的变化，可以预计在
整个工作温度范围内。
内存
R
ADIATION
H
ARDNESS
C
极特
•
•
•
•
•
剂量率（经营通） ： 1个
Rad公司（SI ） /秒
总剂量： 1 ×10
6
Rad公司（SI ）
中子注： 5 ×10
13
牛顿/厘米
2
大致探测范围： 2 ×10
5
- 2 x 10
7
Rad公司（SI ） /秒
麦克斯韦技术指定，控制和测试
10
12
1.
对于麦克斯韦技术由Teledyne公司Micoelectronic制造
技术MIL-PRF- 38534 ， H级，无RHA
05年7月1日修订版3
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1
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