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  • MBM29LV080A-70PTN图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • MBM29LV080A-70PTN
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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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配单直通车
MBM29LV080A-70PTN产品参数
型号:MBM29LV080A-70PTN
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8
最长访问时间:70 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G40
内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
部门数/规模:16
端子数量:40
字数:1048576 words
字数代码:1000000
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
部门规模:64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
切换位:YES
类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1
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