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  • MBM29LV200BC-90PFTN-SIK图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • MBM29LV200BC-90PFTN-SIK
  • 数量15000 
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  • MBM29LV200BC-90PFTN-SIK图
  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • MBM29LV200BC-90PFTN-SIK
  • 数量2000 
  • 厂家FUJITSU 
  • 封装TSSOP 
  • 批号22+ 
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配单直通车
MBM29LV200BC-90PFTR产品参数
型号:MBM29LV200BC-90PFTR
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SPANSION INC
零件包装代码:TSOP1
包装说明:PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91
最长访问时间:90 ns
备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,3
端子数量:48
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R
封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:12 mm
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