MCC
特点
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21201 Itasca的街查茨沃斯
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2N4403
通孔封装
能功率耗散600mWatts的
引脚配置
底部视图
PNP一般
用途放大器
TO-92
A
E
C
B
E
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 1.0mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ，我
C
=0)
基地截止电流
(V
CE
= 30V直流，V
BE
=3.0Vdc)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流，V
BE
=3.0Vdc)
直流电流增益*
(I
C
= 0.1mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 150mAdc ，V
CE
=2.0Vdc)
(I
C
= 500mAdc ，V
CE
=2.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 20mAdc的，V
CE
= 10V直流， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= 10Vdc的，我
E
= 0中，f = 140kHz ）
输入电容
(V
EB
= 0.5VDC ，我
C
= 0中，f = 140kHz ）
延迟时间
(V
CC
= 3.0VDC ，V
BE
=2.0Vdc
上升时间
I
C
= 150mAdc ，我
B1
=15mAdc)
贮存时间
(V
CC
= 3.0VDC ，我
C
=150mAdc
下降时间
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
民
40
40
5.0
0.1
0.1
最大
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
B
基本特征
h
FE
30
60
100
100
20
C
300
V
CE （ SAT ）
0.4
0.75
0.75
0.95
1.30
VDC
D
V
BE （ SAT ）
VDC
小信号特性
f
T
C
cb
C
eb
200
8.5
30.0
15
20
225
30
兆赫
pF
尺寸
G
pF
ns
ns
ns
ns
暗淡
A
B
C
D
E
G
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
*脉冲宽度
英寸
民
.175
.175
.500
.016
.135
.095
最大
.185
.185
---
.020
.145
.105
MM
民
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
最大
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
记
www.mccsemi.com
MCC [ Micro Commercial Components ]
