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2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002K
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内容描述: N沟道MOSFET [N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 381 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
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MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
2N7002K
特点
最大额定值
@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
DS
I
D
P
D
T
J
T
英镑
等级
漏源电压
漏电流
总功耗
工作结温
储存温度
O
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
高密度电池设计低R
DS ( ON)
电压控制的小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
标记: 72K
ESD保护可达2KV ( HBM )
N沟道MOSFET
等级
60
340
350
-55到+150
-55到+150
单位
V
mA
mW
SOT-23
A
除非另有说明电气特性@ 25℃
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
参数
漏源击穿电压
(V
GS
=为0 Vdc ,我
D
=10µAdc)
栅极阈值电压
(V
DS
=V
GS
, I
D
=1
MADC )
门体漏
(V
DS
=为0 Vdc ,V
GS
=f10Vdc)
(V
DS
=为0 Vdc ,V
GS
=f5Vdc)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 48V直流,V
GS
=0Vdc)
漏源导通电阻
(V
GS
= 4.5VDC ,我
D
=200mAdc)
(V
GS
= 10Vdc的,我
D
=500mAdc)
二极管的正向电压
(V
GS
=为0 Vdc ,我
S
=300mAdc)
恢复电荷
(
V
GS
= 0V时,我
S
=300mA,V
R
=25V,)
60
1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
典型值
---
---
---
---
---
---
---
---
30
---
---
---
最大
---
---
f200
f100
1
5.3
5.0
1.5
---
40
30
10
单位
VDC
VDC
NADC
NADC
uAdc
VDC
nC







G
D
3
C
B
1.GATE
2.源
3.排水
1
F
E
2
H
J
I
DSS
r
DS ( ON)
K
尺寸
英寸
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
V
SD
Qr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
( DL
s
/dt=-100A/µS)
输入电容
输出电容
反向传输
电容
V
DS
=10Vdc,
V
GS
=0Vdc
f=1MHz
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
pF
开关
t
D(上)
t
D(关闭)
t
rr
开启时间
打开-O FF时间
反向
恢复
时间
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
ns
.900
.079
2.000
英寸
mm
V
DD
= 50 V ,R
L
=250Ω,
R
GS
=50Ω,V
GS
=10 V,
R
G
=50Ω
V
GS
= 0V时,我
S
=300mA,
V
R
=25V,
dl
s
/dt=-100A/µS
---
---
---
---
---
30
10
15
ns
---
.037
.950
.037
.950
修订版:A
www.mccsemi.com
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of
7
2011/01/01