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2SA1213-Y 参数 Datasheet PDF下载

2SA1213-Y图片预览
型号: 2SA1213-Y
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内容描述: PNP硅外延晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 4 页 / 469 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
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MCC
微型商业组件
2SA1213-O
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

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$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
2SA1213-Y
特点
无铅涂层/符合RoHS ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
低饱和电压: V
CE ( SAT )
=0.5V(max.)(I
C
=1.0A)
小扁包
P
C
= 1.0〜 2.0W (安装在陶瓷基板)
高速交换时间:吨
英镑
=1.0µs(typ.)
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
PNP硅
外延晶体管










C










1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源


 


 

 








































SOT-89
A
B
K
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
2
等级
-50
-50
-5.0
-2.0
-0.4
0.5
1.0*
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
E
D
G
F
H
J
*安装在陶瓷基体( 250毫米X 0.8吨)
电气特性@ 25
符号
参数
除非另有说明
-50
---
---
典型值
---
---
---
最大
---
-0.1
-0.1
单位
VDC
uAdc
uAdc
开关特性
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
=50Vdc,I
E
=0)
发射基截止电流
(V
EB
= 5.0VDC ,我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 0.5Adc ,V
CE
=2.0Vdc)
直流电流增益*
(I
C
= 2.0Adc ,V
CE
=2.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0Adc ,我
B
=0.05Adc)
基射极饱和电压
(I
C
=1.0Adc,I
B
=0.05Adc)
跃迁频率
(V
CE
= 2.0Vdc ,我
C
=0.5Adc)
集电极输出电容
(V
CB
= 10V直流, F = 1.0MHz的)
1
2
3
ON特性
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
70
20
---
---
100
---
---
---
---
---
120
40
240
---
-0.5
-1.2
---
---
---
---
VDC
VDC
兆赫
pF

























分类h及
FE (1)
范围
记号
O
70-140
NO
Y
120-240
NY
www.mccsemi.com
修改:
A
1
of
4
2011/01/01