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BUT11A 参数 Datasheet PDF下载

BUT11A图片预览
型号: BUT11A
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN Silicon Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 395 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
 浏览型号BUT11A的Datasheet PDF文件第2页  
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯

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BUT11A
特点
完成/符合RoHS (注1) ( "P"后缀候
无铅
符合RoHS 。参见订购信息)
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
高电压,高速NPN功率晶体管。
用TO-220封装
拟用于变频器,逆变器,开关稳压器,电机的使用
控制系统。
NPN硅
功率晶体管
TO-220
B
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
K
3
F
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
等级
450
1000
9.0
10
5.0
100
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
O
C
O
C
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
=1000Vdc,I
E
=0)
发射基截止电流
(V
EB
= 9.0Vdc ,我
C
=0)
正向电流传输比
(I
C
= 5.0mAdc ,V
CE
=5.0Vdc)
正向电流传输比
(I
C
= 500mAdc ,V
CE
=5.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2.5Adc ,我
B
=0.5Adc)
基射极饱和电压
(I
C
= 2.5Adc ,我
B
=0.5Adc)
450
---
---
最大
---
1.0
10
单位
VDC
MADC
MADC
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
L
G
N
V
D
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
J
R
BASE
集热器
辐射源
开关特性
V
( BR ) CEO
I
CBO
I
EBO
基本特征
h
FE-1
h
FE-2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
10
10
---
---
35
35
1.5
1.3
---
---
VDC
VDC
尺寸
英寸
MM
最大
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
注:1。高温焊料豁免适用,见欧盟指令附件7 。
修订版:A
www.mccsemi.com
1 2
2011/01/01