MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
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DB3/DC34
和
DB4
硅
双向
DIAC
DO-35G
特点
l
这三个层,两个末端,轴向引线,密封
单IGBT是专门用于触发晶闸管的设计。
•
•
l
无铅涂层/符合RoHS (注1) ( "P"Suffix指定
兼容。参见订购信息)
湿度敏感度:等级1
这些单IGBT是基于在thyrisitors相位控制使用,
对于调光灯,通用电机速度控制和电路
热量控制。型号标记。
最大额定值
l
l
l
l
电气特性@ 25
o
C除非另有说明
功耗
在印刷
Circuit(l=10mm)
重复峰值
通态电流
DB3,DC34,DB4
击穿电压
DB3
DC34
DB4
动态转折
电压(注2 )
Δ
V
工作温度: -40℃ 〜+ 125 ç
o
o
存储温度: -40℃ 〜+ 125 ç
热阻结到铅: 167
o
C / W
o
热阻结到环境温度: 400℃ / W
o
o
D
P
C
150mW
T
A
=65
o
C
TP = 10us的, F = 100HZ
A
I
TRM
2.0A
最小典型最大
28 32 36V
30 34 38V
35 40 45V
B
D
V
BO
C =值为22nF (注3 )
C
5V(Min.)
V
BO
和V
F
at10mA
击穿电压
|+V
BO
|
对称
DB3 , DC34 , DB4
-|-V
BO
|
±3V
5V
100uA
1.5us
10uA
C =值为22nF (注3 )
英寸
暗淡
A
B
C
D
民
---
---
---
1.083
尺寸
MM
最大
.150
.079
.020
---
民
---
---
---
27.50
最大
3.8
2.00
.52
---
记
产量
电压(注2 )
转折
电流(注2)
上升时间(注2 )
V
O(分钟)
I
BO (MAX)中
T
r
I
B( MAX)的
C=22nF
泄漏
电流(注2)
注意:
V
B
=0.5V
BO (MAX)中
1.铅玻璃中的应用豁免,见欧盟指令附件5 。
2.适用于正向电气特性和
相反的方向。
3.连接与设备平行。
修订: B
www.mccsemi.com
1第3
2011/06/20