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DTC114TE 参数 Datasheet PDF下载

DTC114TE图片预览
型号: DTC114TE
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内容描述: NPN数字晶体管 [NPN Digital Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 204 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
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MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

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DTC114TE
特点
无铅涂层/符合RoHS ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻(见等效电路)
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离,以使输入的负偏压。他们也有
利用几乎完全消除了寄生效应
只有通/断条件需要设置操作,使得
装置的设计容易
NPN数字晶体管
SOT-523
A
D
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
50
50
5
100
150
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
G
3
1
B
2
C
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
H
J
K
电气特性
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
R
1
f
T
尺寸
参数
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50uA的,我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1mA时,我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50uA的,我
C
=0)
集电极截止电流
(V
CB
= 50V ,我
E
=0)
发射极截止电流
(V
EB
= 4V ,我
C
=0)
直流电流增益
(V
CE
= 5V ,我
C
=1mA)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10毫安,我
B
=1mA)
输入电阻
跃迁频率
(V
CE
= 10V ,我
C
= -5mA中,f = 100MHz时)
50
50
5
---
---
100
---
7
---
典型值
---
---
---
---
---
300
---
10
250
最大
---
---
---
0.5
0.5
600
0.3
13
---
单位
V
V
V
uA
uA
---
V
K
兆赫
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
英寸
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
*标记: 04
www.mccsemi.com
修订版:A
1作者:
3
2011/01/01