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MPSA56 参数 Datasheet PDF下载

MPSA56图片预览
型号: MPSA56
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内容描述: PNP硅晶体管放大器 [PNP Silicon Amplifier Transistor]
分类和应用: 晶体放大器小信号双极晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 342 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
   
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

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$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MPSA55
MPSA56
能功率耗散1.5Watts的。
集电极 - 500mA的电流
集电极 - 基极电压80V
工作和存储结温范围: -55
O
C至+150
O
C
引脚配置
底部视图
PNP硅
晶体管放大器
TO-92
A
E
C
B
E
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
T
英镑
符号
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
器件总功耗@T = 25
O
C
A
减免上述25
O
C
器件总功耗@T = 25
O
C
A
减免上述25
O
C
结温
储存温度
O
等级
80
80
4.0
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
-55到+150
最大
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/
O
C
W
毫瓦/
O
C
O
C
O
C
单位
B
除非另有说明电气特性@ 25℃
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
(I
C
= 1.0mAdc ,我
B
=0)
MPSA55
MPSA56
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100uAdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60Vdc的,我
B
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60Vdc的,我
E
=0)
MPSA55
(V
CB
= 80VDC ,我
E
=0)
MPSA56
直流电流增益
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
直流电流增益
(I
C
= 100mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ,我
B
=10mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
C
开关特性
V
( BR ) CEO
60
80
4.0
0.1
VDC
VDC
uAdc
D
V
( BR ) EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
uAdc
G
基本特征
(1)
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
100
100
0.25
1.2
VDC
VDC
暗淡
A
B
C
D
E
G
尺寸
英寸
.175
.175
.500
.016
.135
.095
MM
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
(3)
(I
C
= 100mAdc ,V
CE
=1.0Vdc,
50
f=100MHz)
MPSA55
MPSA56
脉冲测试:脉冲Width<300us ,职务Cycle<2.0 %
f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
兆赫
最大
.185
.185
---
.020
.145
.105
最大
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
1.
2.
www.mccsemi.com