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MPSA92 参数 Datasheet PDF下载

MPSA92图片预览
型号: MPSA92
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内容描述: PNP硅高压晶体管 [PNP Silicon High Voltage Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管高压IOT
文件页数/大小: 3 页 / 133 K
品牌: MCC [ Micro Commercial Components ]
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MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

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MPSA92
特点
通孔封装
操作
&存储
温度: -55 ° C至+ 150°C
标记:
A92
无铅涂层/符合RoHS ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
PNP硅高
电压晶体管
TO-92
A
E
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= -1.0mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -100μAdc ,我
E
=0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= -10μAdc ,我
C
=0)
Emitt呃截止电流
(V
EB
= -3.0Vdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -200Vdc ,我
E
=0)
直流电流增益*
(I
C
= -1.0mAdc ,V
CE
=-10Vdc)
(I
C
= -10mAdc ,V
CE
=-10Vdc)
(I
C
= -50mAdc ,V
CE
=-10Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -20mAdc ,我
B
=-2.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= -20mAdc ,我
B
=-2.0mAdc)
-300
-300
-5.0
-0.25
-0.25
最大
单位
VDC
VDC
VDC
微安DC
uAdc
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
EBO
I
CBO
B
基本特征
h
FE
25
80
25
250
C
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
-0.5
-0.9
VDC
VDC
D
小信号特性
电流增益带宽积
(I
C
= -10mAdc ,V
CE
= -5VDC , F = 30MHz的)
C
cb
科尔埃克特-Base电容
(V
CB
= -20Vdc ,我
E
= 0中,f = 1 .0MHz )
*脉冲宽度
300μS ,占空比
2.0%
f
T
50
6.0
兆赫
C
pF
G
B
E
最大额定值
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
R
q
JA
R
q
JC
PD
PD
特征
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
MPSA92
–300
–300
–5.0
–300
200
83.3
625
5.0
1.5
12
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
° C / W
° C / W
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
尺寸
英寸
.170
.170
.550
.010
.130
.010
MM
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
暗淡
A
B
C
D
E
G
最大
.190
.190
.590
.020
.160
.104
最大
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
www.mccsemi.com
修改:
5
1第3
2008/02/01