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MX66C256MC-70 参数 Datasheet PDF下载

MX66C256MC-70图片预览
型号: MX66C256MC-70
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内容描述: 超低功耗的32k ×8 CMOS SRAM [Very Low Power 32k x 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 185 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX66C256
READ CYCLE2
(1,3,4)
CE
t
ACS
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
CHZ
(5)
READ CYCLE3
(1,4)
t
ADDRESS
RC
t
AA
OE
t
OE
CE
t
OH
t
OLZ
t
ACS
t
CLZ
(5)
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
D
OUT
NOTES:
1. WE is high for read Cycle.
2. Device is continuously selected when CE = V
IL
.
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low .
4. OE = V
IL
.
5. Transition is measured
±
500mV from steady state with C
L
= 5pF as shown in Figure 1B.
The parameter is guaranteed but not 100% tested.
P/N DS0035
5
Rev. 1.1, Jan., 2000
Macronix America Inc. USA 1338 Ridder Park Dr., San Jose, CA 95131
Tel (408)453-8088 Fax (408)451-0876 www.macronix.com