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27C2048 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 27C2048
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内容描述: 2M- BIT [ 256Kx8 / 128x16 ] CMOS EPROM [2M-BIT [256Kx8/128x16] CMOS EPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 17 页 / 564 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX27C2100/27C2048
字节宽模式
以字节/ VPP在GND
±
0.2V ,输出Q8-15被三 -
说。如果Q15 / A - 1 = VIH ,输出Q0-7当前数据位
Q8-15 。如果Q15 / A - 1 = VIL ,输出Q0-7当前数据位
Q0-7.
电容器的位置应靠近其中
电源被连接到阵列。
待机模式
该MX27C2100 / 2048具有CMOS待机模式
这减少到100微安的最大VCC的电流。它
是摆在CMOS待机时, CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX27C2100 / 2048还具有一个TTL待机模式
这减小了最大VCC的电流1.5毫安。它
是摆在TTL待机时, CE是VIH 。当
待机模式下,输出处于高阻抗
国家,独立于OE输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接,一两
行控制功能提供了允许:
1.低内存功耗,
2.保证输出的总线争用会不会
发生。
因此建议的CE进行解码,并用作
主要设备选择功能,而OE做出一个
在阵列中的所有设备共同连接,并
连接到所述读取线从系统控制总线。
这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式,而输出引脚
只有当数据从一个特定的所需活性
存储器设备。
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下,瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度,
一个0.1微法陶瓷电容器(高频率,低固有
电感)应之间的每个设备上使用
VCC和GND ,以尽量减少瞬态效应。此外,
以克服由所述感应的电压降
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组,一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用VCC和GND之间为每八台设备。
P / N : PM0158
REV 。 4.5 ,一月14 , 2003
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