MX23C8000
8M - BIT [ 1M ×8 ] CMOS掩膜ROM
特点
•
•
•
•
•
1M ×8的组织
+ 5V单电源供电
快速存取时间： 120分之100 / 150/ 200纳秒
完全静态的操作
完全兼容TTL
•工作电流： 40毫安
•待机电流： 100uA的
•包
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚塑料SOP
- 32引脚塑料PLCC
- 32引脚塑料TSOP
概述
该MX23C8000是5V只， 8M位，只读
内存。它是由8位， 1M的话，能操作
从单一的+ 5V电源阿泰，有一个静态待机模式，
并具有一百二十○分之百/ 150/ 200纳秒的存取时间。这是
设计成与所有兼容的微处理器和
类似的应用中的高性能，大位
存储和简单的接口是重要的设计CON-
siderations 。
MX23C8000提供自动断电，加电用
由芯片使能（ CE ）输入控制下来。当
CE为高电平时，设备会自动断电
并保持在低功率待机模式中，只要
CE仍然很高。
MX23C8000销24还可以被编程或者AC-
略去高或低，以消除总线争
在多总线的微处理器系统。
引脚配置
32 PDIP
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE / OE
A10
CE / CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
32 SOP
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
10
19
18
17
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE / OE
A10
CE / CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VCC
A12
A15
A16
A19
A18
A17
32 PLCC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ
9
5
MX23C8000
32 TSOP
A14
A13
A8
A9
MX23C8000
4
1
32
30
29
MX23C8000
25
A11
OE / OE
A10
CE / CE
13
14
17
21
20
Q7
P / N ： PM0137
VSS
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
MX23C8000
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE / OE
A10
CE / CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VSS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
REV 。 3.8 ，七月16 ， 2001年
1
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
