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MX25L3205 参数 Datasheet PDF下载

MX25L3205图片预览
型号: MX25L3205
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内容描述: 32M - BIT [ ×1 ] CMOS串行eLiteFlashTM记忆 [32M-BIT [x 1] CMOS SERIAL eLiteFlashTM MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 45 页 / 482 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX25L3205
命令说明
( 1 )写使能( WREN )
写使能( WREN)指令用于设置写使能锁存器( WEL )位。对于像PP那些指令, SE , CE,
和WRSR ,这是为了改变设备的内容,应WREN指令设置后,每次设置
WEL位。
发出WREN指令的顺序是: CS #变低, >发送WREN指令代码> CS #变高。 (见
图12)
( 2 )写禁止( WRDI )
写禁止( WRDI )指令是用于重新设置写使能锁存器( WEL )位。
WRDI发出指令的顺序是: CS #变低, >发送WRDI指令代码> CS #变高。 (见图
13)
WEL位复位由以下几种情况:
- 上电
- 写禁止( WRDI )指令完成
- 写状态寄存器( WRSR )指令完成
- 页编程( PP )指令完成
- 扇区擦除( SE )指令完成
- 芯片擦除( CE )指令完成
( 3 )读识别( RDID )
该RDID指令是用于读出的1字节的制造商ID和随后的2字节的设备ID。该MXIC
制造商ID是C (十六进制) ,该存储器类型ID是20 (十六进制),为第一字节的设备ID,以及各个设备ID
第二个字节的ID是如下: 16 (十六进制)用于MX25L3205 。
发出RDID指令的顺序是: CS #变低, >发送RDID指令代码-> 24位ID数据列于SO
->结束RDID操作可以使用CS #为高,在数据的任何时间。 (参见图14 )
当编程/擦除操作过程中,也不会解码RDID指令,所以对周期无影响
编程/擦除操作,这是目前正在进行中。当CS #变为高电平时,该装置是在待机阶段。
P / N : PM1169
10
REV 。 1.0 ,七月15,2005