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MX25L802MC-50 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MX25L802MC-50
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内容描述: 8M - BIT [ 8M ​​×1 ] CMOS串行EEPROM FLASH [8M-BIT [8M x 1] CMOS SERIAL FLASH EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 24 页 / 282 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX25L802
8M - BIT [ 8M ​​×1 ] CMOS串行EEPROM FLASH
特点
一般
8388608 ×1位结构
128平等部门,每个8K字节
-
任何部门可擦除
2048相等的段,每个512字节
-
提供的任何段内连续输出
单电源工作
-
3.0到3.6伏读取,擦除和编程操作
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
VCC低于写入禁止等于或小于2.5V
性能
高性能
软件特点
·输入数据格式
-
1个字节的命令码, 3个字节的地址, 1个字节一个字节
地址
• 512字节连续读取操作
•内置9位( A0至A8 )预先设定的地址计数器
支持512字节顺序读操作
•自动擦除和自动编程算法
-
自动擦除,并在选定的验证数据
扇形
-
在选定的自动编程和校验数据
由内部algroithm页面自动倍
该计划的脉冲宽度(任何页面来进行编程
应该有网页在擦除状态第一)
状态寄存器功能
-
提供了检测程序和擦除操作
完成。
-
提供自动擦除/编程错误报告
硬件特性
SCLK输入
-
串行时钟输入
• SI输入
-
快速存取时间: 20MHz的串行时钟( 50pF的+ 1TTL
负载)
-
快速的程序时间:5ms /页(典型值,每128字节
页)
-
快速擦除时间: 300毫秒/扇区(每个典型, 8K字节
部门)
低功耗
-
在17MHz 10毫安(典型值)的低有效的读电流
-
低电平有效的编程电流: 10毫安(典型值)
-
低电平有效擦除电流: 10毫安(典型值)
-
低待机电流:为30uA (典型值, CMOS )
最少100,000次擦除/编程周期
-
串行数据输入
• SO输出
-
串行数据输出
•包
-
28引脚SOP ( 330mil )
P / N : PM0837
REV 。 1.1 ,四月13 , 2005年
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