欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MX25L12805DMI-20G 参数 Datasheet PDF下载

MX25L12805DMI-20G图片预览
型号: MX25L12805DMI-20G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128M - BIT [ ×1 ] CMOS串行FLASH [128M-BIT [x 1] CMOS SERIAL FLASH]
分类和应用:
文件页数/大小: 42 页 / 420 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
 浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MX25L12805DMI-20G的Datasheet PDF文件第9页  
MX25L12805D
数据保护
该MX25L12805D旨在提供保护,防止意外删除或编程引起的杂散系统
电平信号,可能电源转换过程中存在。上电时,设备会自动复位状态机
在读取模式。另外,其控制寄存器结构,变更的存储内容仅发生后
圆满完成了特定的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止
无意的写周期从VCC上电和掉电或系统产生的噪音。
上电复位和tPUW :避免因系统电源突然过渡电源开关,上电复位和
tPUW (内部定时器),可保护闪存。
•有效的命令长度检查:该命令长度将被检查是否是在字节基础,完成字节
边界。
•写使能( WREN )指令: WREN命令需要设置写使能先于其他锁存器位( WEL )
命令来更改数据。 WEL位将返回下面的情况下重置阶段:
- 上电
- 写禁止( WRDI )命令完成
- 写状态寄存器( WRSR )命令完成
- 页编程( PP )指令完成
- 扇区擦除( SE )命令完成
- 块擦除( BE )命令完成
- 芯片擦除( CE )命令完成
软件保护模式( SPM ) :通过使用BP0 - BP3位设置对Flash的数据更改受保护的部分。
硬件保护模式( HPM ) :通过WP #变低,保障BP0 - BP3位,从数据的变化SRWD位。
深度掉电模式:通过进入深度掉电模式下,闪存设备也受到保护写入所有
除了从深度掉电模式指令( RDP )发布命令和读取电子签名指令
( RES ) 。
先进的安全功能:有一定的保护和securuity的特点,保护内容免受意外
写和敌对的访问。
一,块锁定保护
- 软件保护模式( SPM )的使用( BP3 , BP2 , BP1 , BP0 )位,使内存的一部分加以保护为已读
只。该proected区域定义如表所示"Protected区Sizes"的,该保护区是更灵活
它可以通过设定BP0 - BP3位的值不同的保护区。
请参考表"protected区sizes" 。
- 硬件Proteced模式( HPM )使用WP # / ACC保护( BP3 , BP2 , BP1 , BP0 )位和SRWD位。
II 。另外的512位OTP保护
用于唯一标识:为设备设置为512位一次性项目区
唯一的序列号 - 其中可通过工厂或系统的客户设置。请参考表3 512位OTP保护
定义。
- 安全寄存器位0表示由工厂或无法芯片是否被锁定。
- 要设置的512位OTP保护输入512位OTP保护模式( ENSO命令) ,并经历
通常程序的过程,然后在退出512位固定OTP模式写入ExSO产品命令。
- 客户可以锁定下来的客户可锁定固定OTP写WRSCUR (写安全寄存器)命令
P / N : PM1310
5
REV 。 1.1 ,十月01,2008