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MX25L3205D 参数 Datasheet PDF下载

MX25L3205D图片预览
型号: MX25L3205D
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内容描述: 16M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存 [16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 56 页 / 994 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX25L1605D
MX25L3205D
MX25L6405D
16M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存
32M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存
64M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存
特点
一般
•串行外设接口兼容 - 模式0和模式3
16M : 16777216 ×1位的结构或8388608 ×2比特( 2的I / O读出模式)的结构
32M : 33554432 ×1位的结构或16772216 ×2比特( 2的I / O读出模式)的结构
64M : 67108864 ×1位的结构或33554432 ×2比特( 2的I / O读出模式)的结构
• 512平等部门与4K字节的每个( 16兆)
1024平等部门与4K字节的每个(32 MB )
2048平等部门与4K字节的每个( 64兆)
- 任何部门可以单独擦除
• 32块平等与64K字节的每个( 16兆)
64块平等与64K字节的每个(32 MB )
128块平等与64K字节的每个( 64兆)
- 任何块都可以单独擦除
•单电源工作
- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•低Vcc的禁止写入是从1.5V到2.5V
性能
•高性能
- 快速存取时间: 86MHz串行时钟( 15pF的+ 1TTL负荷)和66MHz的串行时钟( 30pF的+ 1TTL负荷)
- 两个串行时钟I / O读取模式: 50MHz的( 15pF的+ TTL负载) ,这相当于100MHz的
- 快速编程时间(最大) 1.4ms之内(典型值)和5毫秒/页(每页256字节)
- 字节编程时间: 9US (典型值)
- 连续程序模式(自动增加在Word程序模式地址)
- 快速擦除时间: 60毫秒(典型值) /扇区(每扇区4K字节) ; 0.7秒(典型值) /块(每块64K字节) ; 14S (典型值) /芯片
16MB, 25秒(典型值)为32MB,和50多岁(典型值)为64兆
•低功耗
- 低有效的读电流: 25毫安(最大值) ,在86MHz , 20毫安(最大值)为66MHz和10毫安频率为33MHz (最大)
- 低电平有效的编程电流: 20毫安(最大)
- 低电平有效擦除电流: 20毫安(最大)
- 待机电流低:的20uA (最大)
- 深度掉电模式下为1uA (典型值)
•典型10万次擦除/编程
软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
•高级安全功能
- 块锁保护
的BP0 - BP3状态位定义的区域的大小为软件保护程序和擦除指令
- 其他512位OTP保护的唯一标识符
•自动擦除和自动编程算法
-
自动擦除,并在选定的行业数据验证
-
自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据,可自动倍
程序的脉冲宽度(在任何页面来进行编程,应先有在擦除状态页)
P / N : PM1290
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REV 。 1.4 ,十月01,2008