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MX25L512MC-12G 参数 Datasheet PDF下载

MX25L512MC-12G图片预览
型号: MX25L512MC-12G
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内容描述: 512K - BIT [ ×1 ] CMOS串行闪存 [512K-BIT [x 1] CMOS SERIAL FLASH]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 39 页 / 1862 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX25L512
数据保护
MX25L512的目的是提供保护,防止意外擦除或编程引起的杂散系统
电平信号,可能电源转换过程中存在。上电时,设备会自动复位状态马
脊中的待机模式。另外,其控制寄存器结构,改变的存储器中的内容只
成功完成特定的命令序列后发生。该器件还集成了多项功能
以防止VCC上电和掉电或系统产生的噪音无意中写周期。
•有效的命令长度检查:该命令长度将被检查是否是在字节基地完成
在字节边界。
•写使能( WREN )指令: WREN命令需要设置写使能锁存位( WEL )前
其他命令来更改数据。 WEL位将返回下面的情况下重置阶段:
- 上电
- 写禁止( WRDI )命令完成
- 写状态寄存器( WRSR )命令完成
- 页编程( PP )指令完成
- 扇区擦除( SE )命令完成
- 块擦除( BE )命令完成
- 芯片擦除( CE )命令完成
软件保护模式( SPM ) :通过使用BP0 , BP1位设置对Flash的数据更改受保护的部分。
硬件保护模式( HPM ) :通过WP #变低,保障BP0 , BP1位和数据位SRWD
改变。
深度掉电模式:通过进入深度掉电模式下,闪光灯装置还根据保护
除了编写发布的所有命令,从深度掉电模式指令( RDP)和读取电子显
大自然的命令( RES ) 。
P / N : PM1214
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REV 。 1.6 ,二月17 , 2009年