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    MX25L8005MI-12G 参数 Datasheet PDF下载

    MX25L8005MI-12G图片预览
    型号： MX25L8005MI-12G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8M - BIT [ ×1 ] CMOS串行闪存 [8M-BIT [x 1] CMOS SERIAL FLASH]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
    文件页数/大小： 44 页 / 829 K
    品牌： MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
     浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MX25L8005MI-12G的Datasheet PDF文件第9页  
    MX25L8005
    数据保护
    该MX25L8005的目的是提供保护，防止意外删除或编程引起的杂散系统
    电平信号，可能电源转换过程中存在。上电时，设备会自动复位状态机
    在读取模式。另外，其控制寄存器结构，变更的存储内容仅发生后
    圆满完成了特定的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止
    无意的写周期从VCC上电和掉电或系统产生的噪音。
    •
    上电复位和tPUW ：避免因系统电源突然过渡电源开关，上电复位和
    tPUW （内部定时器），可保护闪存。
    •有效的命令长度检查：该命令长度将被检查是否是在字节基础，完成字节
    边界。
    •写使能（ WREN ）指令： WREN命令需要设置写使能先于其他锁存器位（ WEL ）
    命令来更改数据。 WEL位将返回下面的情况下重置阶段：
    - 上电
    - 写禁止（ WRDI ）命令完成
    - 写状态寄存器（ WRSR ）命令完成
    - 页编程（ PP ）指令完成
    - 扇区擦除（ SE ）命令完成
    - 块擦除（ BE ）命令完成
    - 芯片擦除（ CE ）命令完成
    •
    •
    •
    软件保护模式（ SPM ） ：通过使用BP0 - BP2位设置对Flash的数据更改受保护的部分。
    硬件保护模式（ HPM ） ：通过WP ＃变低，保障BP0 - BP2位，从数据的变化SRWD位。
    深度掉电模式：通过进入深度掉电模式下，闪存设备也受到保护，从写作
    除了释放从深度掉电模式指令（ RDP）和阅读电子签名指令中的所有命令
    （ RES ） 。
    P / N ： PM1237
    4
    REV 。 2.2 ，十月23 ， 2008

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