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    MX26C2000B 参数 Datasheet PDF下载

    MX26C2000B图片预览
    型号： MX26C2000B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS多时间可编程EPROM [2M-BIT [256K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM]
    分类和应用： 可编程只读存储器电动程控只读存储器
    文件页数/大小： 23 页 / 988 K
    品牌： MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
     浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MX26C2000B的Datasheet PDF文件第10页  
    MX26C2000B
    命令模式
    2兆比特MTP EPROM
    TM
    在命令模式时，
    高电压V
    PPH
    被施加于V
    PP
    引脚。在这种状态下
    可用的功能是读取，编程，编程检验，
    Eraseand擦除校验。复位被选中的写作
    命令的输入寄存器。从寄存器数据
    输入到状态机。从状态下的输出
    机确定该设备的功能。该
    命令寄存器用作锁存器来存储数据。
    执行命令。它不占用寻址的
    存储器位置。标准的微处理器写时序
    使用。表2定义了寄存器的命令。该
    命令寄存器写入通过将WE为逻辑低电平
    电平（V
    IL
    ），而CE是低的。地址锁存的
    落下WE的边缘，而数据被锁存的上升沿
    的WE脉冲。
    待机和输出禁止功能是一样的
    阅读模式，通过CE和OE控制。如果该设备是
    在擦除，编程或擦除/编程取消
    验证，该器件消耗的有功电流，直到
    操作终止。
    擦除操作。两步命令防止
    意外改动存储器阵列。擦除操作
    开始与WE脉冲的上升沿和
    结束与下一个WE脉冲的上升沿，
    在这种情况下是在擦除校验命令。
    擦除验证
    每个擦除操作之后是擦除校验。该
    命令A0H被写入命令寄存器。该
    字节的地址与所提供的待验证
    命令。的地址被锁存的下降沿
    在WE脉冲。读数FFH返回确认所有
    在该字节的位都被清除。成立这个顺序
    使用擦除擦除继续为每一个地址，直到FFH是
    返回。这表明对整个存储器阵列是
    擦除并完成操作。擦除验证
    操作起始地址为0000H ，结束于最后一个
    地址。最大擦除脉冲的持续时间为2兆比特
    MTP EPROM
    TM
    为100ms ，最大30个脉冲。
    请参见AC特性和波形的具体
    定时参数。
    读命令
    要读取内存的内容，写入00H到命令
    寄存器，而高电压被施加到
    V
    PP
    引脚（V
    PP
    = V
    PPH
    ） 。微处理器读周期检索
    的数据。该器件仍然能读，直到数据
    在命令寄存器被改变。该设备是默认
    在读模式下，当上电。这是为了确保没有
    内存的意外改变权力过程中发生
    过渡。请参见AC阅读特点和波形
    对于特定的定时参数。
    SET UP擦除/擦除
    预编程操作之前不擦除所需
    操作。命令程序需要执行
    一个完整的擦除操作：设置擦除，擦除和
    擦除验证。高电压被施加于V
    PP
    针
    (V
    PP
    =V
    PPH
    ） 。命令20H被写入到命令
    寄存器来启动的建立擦除模式。
    擦除操作
    相同的命令， 20H ，再次写入到
    命令寄存器。这第二个命令启动批量
    P / N ： PM0765
    REV 。 0.7 ，十月04 ， 2001年
    6

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