MX26LV004T/B
旺宏N位
TM
存储器系列
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V ONLY高速eLiteFlash
TM
内存
特点
•扩展单 - 电源电压范围3.0V至3.6V
• 524,288 x 8
•单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
•快速存取时间： 55 / 70ns的
•低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 为30uA典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节编程（ 55us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节X1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节X7 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
•就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
• 2000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•包装类型：
- 40针TSOP
- 32引脚PLCC
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
•20年的数据保存
概述
该MX26LV004T / B是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX26LV004T / B为
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
标准MX26LV004T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX26LV004T / B已单独的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX26LV004T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过2000次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX26LV004T / B采用的是3.0V 〜 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1099
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
1
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
