MX26LV800T/B
旺宏N位
TM
存储器系列
8M - BIT [ 1Mx8 / 512K X16 ] CMOS单电压
3V ONLY高速eLiteFlash
TM
内存
特点
•扩展单 - 电源电压范围3.0V至3.6V
• 1,048,576 ×8 / 524,288 ×16切换
•单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
•快速存取时间： 55 / 70ns的
•低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 为30uA典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 55us / 70us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ，
8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X15 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除验证能力。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
•就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
• 2000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•包装类型：
- 48引脚TSOP
- 48球CSP
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
•20年的数据保存
概述
该MX26LV800T / B是一个8兆比特的高速闪存
内存组织为8位或512K字1M字节
的16位。旺宏的高速闪存报价
最有成本效益和可靠的读/写的非易失性
随机存取存储器。该MX26LV800T / B是封装
年龄在48引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成
重新编程和擦除系统或标准
EPROM编程器。
标准MX26LV800T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX26LV800T / B已单独的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的高速闪存EPROM增加
功能与电路中的电擦除和编程
明。该MX26LV800T / B使用命令寄存器
管理此功能。命令寄存器允许
100％的TTL电平控制输入和固定电源支持
擦除和编程时帘布层的水平，并保
泰宁最大EPROM的兼容性。
MXIC高速闪存技术能可靠地保存
存储器的内容即使在2000擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计优化了擦除
和编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理，低IN-国家
ternal电场的擦除和编程操作
生产可靠的自行车。该MX26LV800T / B采用的是
3.0V 〜 3.6V的VCC电源进行高可靠性
擦除和自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1007
REV 。 1.3 ，四月13 ， 2005年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
