MX28F1000P
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
• 131,072字节由8位组织
•快速存取时间： 70ns的（Vcc ： 5V ± 5 ％ ; CL ： 35pF ）
90 / 120ns的（VCC为5V ± 10 ％ ; CL ： 100pF的）
•低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 为100uA最大待机电流
•编程和擦除电压12V
±
5%
•命令寄存器架构
- 字节编程（ 15US典型值）
- 自动芯片擦除5秒典型
（包括预编程时间）
•块擦除
•优化的高密度架构受阻
- 四4 KB块
•
- 七16 KB块
自动擦除（芯片&块）和自动编程
- 数据查询
- 触发位
万最低擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
先进的CMOS闪存技术
兼容JEDEC标准的字节宽32针
EPROM引脚
套餐类型：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
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概述
该MX28F1000P是一个1兆比特的闪存或 -
ganized为128K字节，每个字节8比特。 MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的
读/写的非易失性随机存取存储器。该
MX28F1000P封装在32引脚PDIP， PLCC
和TSOP 。它被设计成可重新编程和
擦除在系统或在标准EPROM编程
聚体。
该标准MX28F1000P提供存取时间
快70纳秒，高速运转使
微处理器无需等待。为了消除
总线冲突， MX28F1000P有单独的芯片
使能（CE ）和输出使能（OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛，在电路中的电擦除和
编程。该MX28F1000P使用命令
注册管理这个功能，而
保持一个标准的32引脚引脚排列。该
命令寄存器允许100％的TTL电平控制
输入和擦除过程中固定电源电平
和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
该
MX28F1000P采用了12.0V
±
5 ％ VPP供应
进行自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM0340
1
REV 。 1.6 ，一月19 ， 1999
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
