MX28F160C3T/B
16M - BIT [ 1M X16 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
•位组织： 1,048,576 ×16
•单电源工作
- VCC = VCCQ = 2.7 〜 3.6V的读取，擦除和编程
手术
- VPP = 12V快速生产编程
- 工作温度： -40 ° C〜 85°C
•快速存取时间70 /90 / 110ns的
•低功耗
- 9毫安典型的有源读取电流， F = 5MHz时
- 18毫安典型的编程电流（ VPP = 1.65 〜 3.6V ）
- 21毫安典型的擦除电流（ VPP = 1.65 〜 3.6V ）
- 在节能7UA典型待机电流
模式
•部门架构
- 部门结构： 4Kword ×2 （引导区） ， 4Kword
×6 （参数扇区） ， 32Kword ×31 （主业）
- 顶部/底部启动
•自动擦除和自动程序
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
- 自动扇区擦除在指定部门
•自动暂停增强
- 字写暂停阅读
- 扇区擦除挂起到字写
- 扇区擦除挂起读取寄存器报告
•自动扇区擦除，字写和部门锁定/
解锁配置
•状态回复
- 检测编程和擦除操作完井
化。
- 命令的用户界面（ CUI）
- 状态寄存器（ SR ）
•数据保护性能
- 包括引导扇区及参数和主要部门
要锁定/解锁
• 100000最小擦除/编程周期
??通用闪存接口（ CFI ）
• 128位保护寄存器
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•包装类型：
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球CSP （采用8mm x 6毫米）
概述
该MX28F160C3T / B为16兆比特的闪存
组织为16位的1M字。数据100万字
被布置在8 4Kword引导和参数扇区，
和31 32K字的主要部门有哪些indi-
vidually擦除。旺宏的快闪记忆体提供最
具有成本效益和可靠的读/写非易失性随机
存取存储器。该MX28F160C3T / B被包装在
48引脚TSOP和48球CSP 。它被设计成可再
编程和擦除的系统或在标准
EPROM编程器。
标准MX28F160C3T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是70ns的，让操作
处理机无需等待。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX28F160C3T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
P / N ： PM0867
REV 。 1.2 ，三月17 ， 2004年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
