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MX28F2000TPC-12C4 参数 Datasheet PDF下载

MX28F2000TPC-12C4图片预览
型号: MX28F2000TPC-12C4
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内容描述: 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY [2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 31 页 / 115 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX28F2000T
读命令
而VPP高,擦除和编程,
存储器中的内容,也可以通过读访问
命令。通过写入启动读操作
00H到命令寄存器。微处理器读
循环数组中检索数据。该器件仍然恩
体健的读取,直到命令寄存器的内容
被改变。
该寄存器的VPP后加电的默认内容
最多是00H 。此默认值确保没有假
变更存储器的内容将VPP期间发生
权力过渡。其中,将VPP供给是硬接线
到MX28F2000T ,该设备通电并
保持启用,直到读取命令寄存器
内容被改变。
格局。当该装置被自动验证,以
包含全零的模式,自定时芯片擦除和
验证开始。擦除和验证操作
完成时就DQ7数据是"1" ,此时
设备返回到读取模式。该系统是不
需要提供在这些任何控制或定时
操作。
当使用自动芯片擦除算法,记
该擦除自动终止时,
充分消除边距已经实现了
存储阵列(不擦除校验命令是必需的) 。
保证金电压在内部产生
同样地,当标准擦除校验
命令被使用。
自动的建立擦除命令是一个命令 -
该阶段的设备进行自动运转
在阵列中的所有字节的电擦除。自动
设置擦除是通过写30H到执行
命令寄存器。
指挥自动化芯片擦除,命令30H
必须再次写入到命令寄存器。该
自动芯片擦除开始于的上升沿
WE和终止时,对DQ7数据是"1"和
在DQ6数据停止切换连续两
读周期,在该时间该设备返回到
阅读模式。
硅-ID的读命令
闪存存储器被用于在应用程序中使用
其中本地CPU改变存储器的内容。因此,
制造商和设备代码必须能够访问
而设备驻留在目标系统。舞会
程序员通常由rais-访问特征码
荷兰国际集团A9到高电压。但是,高复
电压到地址线是不期望的系统 -
设计实践。
该MX28F2000T含有硅-ID的读取操作
化,以补充传统的PROM编程
方法论。通过写入90H开始运作
入命令寄存器。下面的命令
写,从地址0000H读周期检索
制造商C2H代码。从地址读周期
0001H返回3CH的设备代码。
SET -UP自动块擦除/擦除
COMMANDS
自动块擦除不需要的设备
是完全预编程执行之前
自动设置块擦除命令
自动块擦除命令。当执行
自动块擦除命令,该设备automati-
美云将编程和校验块(S )内存的
全零的数据模式。该系统不要求
在这些操作提供任何控制或定时。
当块(多个)被自动验证,以包含
全零的图案,一个自定时块擦除和验证
开始。擦除和验证操作完成
当DQ7数据为"1"和DQ6停止数据
切换为两个连续的读周期,在该时间
该设备返回到读取模式。该系统是
不要求在提供任何控制或定时
这些操作。
SET -UP自动芯片擦除/擦除
COMMANDS
自动芯片擦除不需要的设备
是完全预编程到excuting现有
自动设置擦除命令和自动芯片
擦除命令。当执行自动芯片
擦除命令后,设备会自动将程序
和验证整个存储器为全零数据
P / N : PM0472
REV 。 1.0 , 1997年6月13日
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