MX29F001T/B
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
5.0V
±
用于读的10％ ，擦除和写入操作
131072x8唯一组织
快速存取时间： 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1u
A
典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除（ 8K字节×1 ， 4K字节×2 ， 8K字节
×2 ， 32K字节×1 ，和64K字节×1）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
与擦除挂起功能。
- 自动程序和数据验证
指定的地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作。
•
•
•
•
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
•芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
•启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•低VCC写入禁止等于或小于3.2V
•包装类型：
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
•启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•20年的数据保存
概述
该MX29F001T / B是1兆比特的闪存
组织为128K字节只有8位MXIC的
闪存提供最具成本效益和
可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29F001T / B被封装在32脚
PLCC ， TSOP ， PDIP 。它被设计成可重现
编程和擦除的系统内或在标
EPROM编程器。
标准MX29F001T / B提供了访问时间
为90ns 。为了消除总线冲突， MX29F001T /
B已单独的芯片使能（ CE）和输出使能
（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛，在电路中的电擦除和
编程。该MX29F001T / B使用命令
注册管理此功能。命令
寄存器允许100％的TTL电平控制输入
和擦除过程中固定电源水平和
编程，同时保持最大的EPROM
兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
该
MX29F001T / B采用的是5.0V
±
10 ％ VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM0515
REV 。 2.6 ，十二月29 ， 2003
1
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
