MX29F001T/B
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
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5.0V
±
用于读的10％ ，擦除和写入操作
131072x8唯一组织
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
– 1u
A
典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除（ 8K字节x1,4K字节×2 ， 8K Bytex2 ，
32K - Bytex1和64K字节×1）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
与擦除挂起功能。
- 自动程序，并在特定的数据验证
田间地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作。
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
•芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
•启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•低VCC写入禁止等于或小于3.2V
•包装类型：
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
•启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•20年的数据保存
概述
该MX29F001T / B是1兆比特的闪存
组织为128K字节的8位只MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的
读/写的非易失性随机存取存储器。该
MX29F001T / B封装在32引脚PLCC ， TSOP ，
PDIP 。它被设计成可重新编程和
擦除在系统或在标准EPROM编程
聚体。
标准MX29F001T / B提供了存取时间为
高速微型快55ns ，使操作
处理器无需等待。为了消除总线
争中， MX29F001T / B具有单独的芯片
使能（CE ）和输出使能（OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛，在电路中的电擦除和
编程。该MX29F001T / B使用命令
注册管理此功能。命令
寄存器允许为100％的TTL电平的控制输入和
擦除过程中固定电源水平和
编程，同时保持最大的EPROM
兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
该
MX29F001T / B采用的是5.0V
±
10 ％ VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM0515
1
REV 。 2.1 ，六月14 ， 2001年
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
