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MX29F002NBQC-70 参数 Datasheet PDF下载

MX29F002NBQC-70图片预览
型号: MX29F002NBQC-70
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内容描述: 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY [2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 49 页 / 910 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29F002/002N
读/复位命令
通过写入读出开始的读出或复位操作/
复位命令序列到命令寄存器。
微处理器读周期获取数组数据。该
设备保持启用,直到读取命令
寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生, F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的命令
然后,必须写入器件置于所需的
状态。
SET -UP自动排屑/扇区擦除
COMMANDS
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
& QUOT ;解锁& QUOT ;写周期。这些后面是写
& QUOT ;建立& QUOT ;命令80H 。两个& QUOT ;解锁& QUOT ;写周期
然后其次是芯片擦除命令10H 。
自动芯片擦除不需要的装置
完全预编程执行自动 - 前
马蒂奇芯片擦除。当执行自动排屑
擦除,设备将自动编程和验证
整个存储器为一个全零的数据模式。当
设备自动验证,以包含一个全零的
模式,自定时芯片擦除和验证开始。该
擦除和验证操作均完成时,数据
上Q7是"1" ,此时该装置返回到浏览
模式。该系统不要求提供任何控制
或者在这些操作期间定时。
当使用自动芯片擦除算法,请注意
擦除自动终止,当足够的擦除
缘已经实现对存储器阵列(没有擦除
验证命令是必需的) 。
如果擦除操作是不成功的, Q5上的数据
是"1" (见表4 ),表明擦除操作超过
内部时序限制。
自动擦除开始于最后的上升沿
WE脉冲中的命令序列和终止
当在Q7中的数据是"1"和Q6停止数据
切换为两个连续的读周期,在该时间的
设备返回到读取模式。
硅-ID的读命令
闪存被用于在应用程序中使用
其中本地CPU改变存储器的内容。因此,
制造商和设备代码必须是可访问的,而
该设备驻留在目标系统。舞会
程序员通常通过提高访问特征码
A9到高电压。然而,复用高压
到地址线一般不被期望的系统设计
实践中。
该MX29F002T / B包含一个硅ID读操作
以补充传统的PROM编程methodol-
术。通过写读芯片开始运作
ID命令序列到命令寄存器。跟着
哞哞叫的命令写入,读取周期与A1 = VIL ,
A0 = VIL检索C2H的制造商代码。读
循环A1 = VIL , A0 = VIH返回B0H的设备代码
对于MX29F002T , 34H为MX29F002B 。
表3.膨胀硅ID CODE
引脚A0 A1 Q7 Q6 Q5
Q4
Q3 Q2 Q1 Q0
代码(十六进制)代码
生产代码
器件代码
对于MX29F002T
器件代码
对于MX29F002B
扇区保护
验证
VIL VIL
VIH VIL
1
1
1
0
0
1
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
C2H
B0h
VIH VIL
0
0
1
1
0
1
0
0
34h
X
X
VIH
VIH
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
01H (受保护)
00H (无保护)
P / N : PM0547
REV 。 1.1 ,六月14 , 2001年
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