MX29F002/002N
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
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262,144x 8只
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
编程和擦除电压为5V ± 10 ％
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除（ 16K字节X1 ， 8K字节×2 ， 32K字节
X1和64K字节×3 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区或任意组合
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动程序，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，然后
恢复的擦除操作。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除周期结束。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
硬件复位引脚（仅适用于29F002T / B ）
- 复位内部状态机读取模式
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
20年数据保留
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概述
该MX29F002T / B为2兆比特的闪存器官
源化的256K字节只有8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29F002T / B为
封装采用32引脚PDIP ， PLCC和32引脚TSOP （ I） 。这是
设计成可重新编程和擦除在系统或IN-
标准EPROM编程器。
标准MX29F002T / B提供了存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F002T / B拥有独立的芯片使能（ CE ）和输出
启用（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F002T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％的TTL
电平控制输入，并在固定的电源电平
擦除和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
MXIC的Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理和低的内部电场为
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29F002T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现与
MXIC专有的非外延工艺。闭锁保护
经证明，以应力高达100毫安的地址和
数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0547
1
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
