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MX29F002NTPC-12 参数 Datasheet PDF下载

MX29F002NTPC-12图片预览
型号: MX29F002NTPC-12
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内容描述: 2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY [2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 49 页 / 910 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29F002/002N
Q3
扇区擦除定时器
在完成初始扇区擦除命令后
序次扇区擦除超时将开始。 Q3会
保持低电平,直到超时完成。数据轮询和
触发位是初始扇区擦除命令后有效
序列。
如果数据轮询或切换位表示该设备有
被写入具有有效擦除命令,也可以使用第3季
以确定该扇区擦除计时器窗口仍处于打开状态。
如果Q3高( "1" )的内部控制擦除周期有
开始;试图写入的后续命令的
设备将被忽略,直到擦除操作完成
通过数据查询或翻转位表示。如果Q3低( "0" ) ,
该设备将接受额外的扇区擦除命令。
以确保命令被接受时,系统
软件应先检查Q3的状态和
下面的每个后续扇区擦除命令。如果Q3
是高在第二状态检查,该命令可能
不被接受。
逻辑INHIBIT
写作是通过举办OE中的任何一个抑制= VIL , CE =
VIH或WE = VIH 。要启动一个写周期CE ,我们必须
是逻辑零,而OE是一个逻辑1 。
电源去耦
为了降低功率开关的作用,各装置
应该有一个0.1uF的陶瓷电容器,连接在
其VCC和GND 。
采用12V系统扇区保护
该MX29F002T / B提供硬件部门的保护。
此功能将禁用这两个编程和擦除操作
这些部门的保护。以激活此模式下,
编程设备必须强制VID地址引脚
A9和控制引脚OE , (建议VID = 12V ), A6 = VIL和
CE = VIL 。 (见表2)的保护的程序设计
电路开始,在WE脉冲的下降沿,并
封端的上升沿。请参阅扇区
保护算法和波形。
为了验证保护电路的编程时,该
编程设备必须强制VID地址引脚
A9 ( CE和OE的VIL和WE的VIH ;当A1 = 1 ,
它会产生一个逻辑"1"代码器件输出Q0为
受保护的部门。否则,该设备会产生00H
在无保护的部门。在这种模式下,
地址,除A1,是在"don't care"状态。地址
与A1 = VIL位置保留阅读制造商
和设备代码。 (阅读硅ID )
它也能够确定该扇区被保护在
该系统通过写入读硅ID命令。
执行与A 1 = VIH读操作时,它会产生
逻辑"1"在Q0为受保护的部门。
数据保护
该MX29F002T / B设计是为了提供保护,防止
意外擦除或编程引起的杂散
系统级的信号,可能电源转换过程中存在。
上电时,设备会自动复位状态
机在读取模式。另外,其控制
注册建筑,改建的存储内容
仅发生成功完成特定的后
命令序列。该器件还集成了
几个功能,以防止意外的写入周期
从VCC上电和掉电造成
或系统噪声。
写脉冲"GLITCH"保护
小于在CE为5ns (典型值)噪声脉冲,否则我们将不会
发起一个写周期。
P / N : PM0547
REV 。 1.1 ,六月14 , 2001年
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