MX29F004T/B
4M- BIT [ 512KX8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
• 524,288 ×8只
•单电源工作
- 5.0V只为读操作，擦除和编程OP-
关合作
•快速存取时间70 /90 / 120ns的
•低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除
（部门结构： 16KB / 8KB / 8KB / 32KB和64KBx7 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序数据，另一扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除。
•状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
•芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统。
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•低VCC写入禁止等于或小于3.2V
•包装类型：
- 32引脚PLCC ， TSOP或PDIP
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
•20年的数据保存
概述
该MX29F004T / B是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29F004T / B为
封装采用32引脚PLCC ， TSOP ， PDIP 。它被设计
进行再编程和擦除在系统或标
准EPROM编程器。
标准MX29F004T / B提供了存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29F004T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F004T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器
内容即使经过10万次擦除和编程
周期。该MXIC单元的设计，以优化
擦除和编程机制。此外，
先进的隧道氧化物组合
处理和低的内部电场为擦除
和编程操作产生可靠的自行车。
该MX29F004T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC电源
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM0554
REV 。 1.9 ，十月19 ， 2004年
1
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
