MX29F040C
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压5V单电源工作
EQUAL部门FLASH MEMORY
特点
• 524,288 ×8只
•单电源工作
- 5.0V只为读操作，擦除和编程OP-
关合作
•快速存取时间55 /70 /为90ns
•兼容MX29F040设备
•低功耗
- 30毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除
每个64K字节等于8行业
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被删除的另一个部门，
•
然后恢复擦除
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除周期结束
部门保护/芯片解除保护的5V只有系统
扇区保护
- 硬件的方法来禁用节任意组合
从编程或擦除操作器
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
100000最小擦除/编程周期
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 32引脚PLCC ， TSOP或PDIP
-
所有无铅器件符合RoHS标准
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年数据保留
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概述
该MX29F040C是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX29F040C是
封装采用32引脚PLCC ， TSOP ， PDIP 。它被设计
进行再编程和擦除在系统或标准
EPROM编程器。
该标准MX29F040C提供存取时间快
55ns ，高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F040C有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和输出
启用（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F040C使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％的TTL
电平控制输入，并在固定的电源电平
擦除和编程，同时保持最高
EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除
和程序的机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。该
MX29F040C采用5.0V ± 10 ％ VCC电源为按照
形成高可靠性擦除和自动程序/
擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N ： PM1201
REV 。 1.0，十二月20 ， 2005年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
