MX29F040
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据。
该设备仍然启用了读，直到命令
寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生， F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
SET -UP自动排屑/扇区擦除
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期。这些后面是写
＆ QUOT ;建立＆ QUOT ;命令80H 。两个＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写赛扬
克莱斯再其次是芯片擦除命令10H进行。
自动芯片擦除不需要的设备
是完全预编程执行盟之前
tomatic芯片擦除。当执行自动排屑
擦除，设备将自动编程和验证
整个存储器为一个全零的数据模式。当
设备自动验证，以包含一个全零的
模式，自定时芯片擦除和验证开始。该
擦除和验证操作均完成时，数据
上Q7是"1" ，此时该装置返回到
阅读模式。该系统不要求提供任何
在这些操作过程的控制和定时。
当使用自动芯片擦除算法，记
该擦除自动终止充足时，
擦除余量已经实现对存储器阵列
（无需擦除验证指令） 。
如果擦除操作是不成功的，在数据
Q5是"1" （见表4 ），表明擦除操作
超过内部时序限制。
自动擦除开始上的上升沿
最后WE或CE ，先发生者为准脉冲的COM
命令序列和终止时，对Q7的数据是
"1"和Q6的数据停止切换两个次连续
略去读周期，在该时间该设备返回到
阅读模式。
硅-ID的读命令
闪存被用于在应用中使用
本地CPU改变存储器的内容。因此，制造
商和设备代码必须是可访问的时
设备驻留在目标系统。 PROM编程
聚体通常通过提高A9访问特征码
一个高电压。然而，复用高压到
地址线一般不被期望的系统设计
实践中。
该MX29F040含有硅ID读操作来
补充传统PROM编程methodol-
术。通过写读芯片开始运作
ID命令序列到命令寄存器。跟着
哞哞叫的命令写入，读取周期
A1 = VIL ， A0 = VIL检索C2H的制造商代码。
读周期与A1 = VIL ， A0 = VIH返回设备
A4H的MX29F040的代码。
表3.膨胀硅ID CODE
引脚
生产代码
对于MX29F040设备代码
扇区保护验证
A0
VIL
VIH
X
X
A1
VIL
VIL
VIH
VIH
Q7
1
1
0
0
Q6
1
0
0
0
Q5
0
1
0
0
Q4
0
0
0
0
Q3
0
0
0
0
Q2
0
1
0
0
Q1
1
0
0
0
Q0
0
0
1
0
代码（十六进制）
C2H
A4H
01H （受保护）
00H(Unprotected)
P / N ： PM0538
REV 。 2.3 ，十二月10 ， 2004年
7
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
