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MX29F040TC-70 参数 Datasheet PDF下载

MX29F040TC-70图片预览
型号: MX29F040TC-70
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内容描述: 4M- BIT [ 512KX8 ] CMOS EQUAL部门FLASH MEMORY [4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 39 页 / 872 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29F040
自动编程
该MX29F040是使用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法使得外部系统做
不需要有时间按顺序也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间
该MX29F040的房间温度低于4
秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
写指令到指令寄存器中使用标准
微处理器写时序。该设备将
自动预编程和验证整个阵列。
然后自动装置倍擦除脉冲
宽度,提供了擦除验证,并计数
序列号。状态位之间切换
连续的读周期提供反馈给用户
以编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机,它控制了擦除和编程
电路。在写周期中,命令寄存器
内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。在一个系统
写周期,地址被锁存的下降沿
WE或CE ,以较迟者为准happeds ,并且数据被锁存
在WE或CE的上升沿,无论happeds第一。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平,
可靠性和成本效益。该MX29F040
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节被编程
用热的EPROM编程机制
电子注入。
在一个程序周期中,状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中,命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后,
该设备停留在读取模式。状态机之后,
已经完成了它的任务,它将允许命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法
自动程序的整个阵列之前,电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F040是使用部门(S )可擦除MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式
允许该阵列的扇区来在一个擦除擦除
周期。自动扇区擦除算法
自动程序之前指定扇区的
电擦除。定时和验证的
电擦除内部中控
装置。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令(包括
2解锁写周期和A0H )和一个程序命令
(节目数据和地址)。自动装置
次编程脉冲宽度,提供了程序
验证,并计数序列的数量。一
类似的数据轮询和状态位来回切换状态位
连续的读周期之间,提供反馈
用户以编程操作的状态。
P / N : PM0538
REV 。 1.6 ,八月08 , 2001年
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