MX29F100T/B
1M - BIT [ 128Kx8 / 64Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
•
•
•
•
5V ±10 ％，持续读取，擦除和写入操作
131072x8 / 65536x16切换
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 40毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1
uA
典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 擦除（ 16K - Bytex1 ， 8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和
64K字节×1）
自动擦除（芯片）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合或
与擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了硬件方法或检测程序
或擦除周期结束
擦除暂停/擦除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
节目数据到一个扇区一个没有被擦除，
然后恢复擦除操作。
硬件复位引脚
- 硬件设备重新读书的方法
该设备读取阵列的数据。
20年数据保留
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
概述
该MX29F100T / B是1兆比特的闪存
组织为131,072字节或65,536字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益
和可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29F100T / B封装采用44引脚
SOP和48引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除的系统内或在标
EPROM编程器。
标准MX29F100T / B提供了存取时间为
高速微型快55ns ，使操作
处理器无需等待。为了消除总线
争中， MX29F100T / B具有单独的芯片
使能（CE ）和输出使能（OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛，在电路中的电擦除和
编程。该MX29F100T / B使用命令
注册管理此功能。命令
寄存器允许为100％的TTL电平的控制输入和
P / N ： PM0548
擦除过程中固定电源水平和
编程，同时保持最大的EPROM
兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。该
MX29F100T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
REV 。 1.2 ，十一月12 ， 2001年
1
MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
