MX29F200C T / B
2M- BIT [ 256Kx8 / 128Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
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5.0V ±读10 ％ ，擦除和写入操作
131072x16 / 262144x8切换
快速访问时间55 /70 /为90ns
兼容MX29F200T / B设备
低功耗
- 40毫安最大工作电流@ 5MHz的
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 9US / 11us典型值）
- 扇区擦除（ 16K - Bytex1 ， 8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1 ，
和64K字节×3）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合或
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除周期结束。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了硬件方法或检测程序
或擦除周期结束
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
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- 高级无意写保护
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
部门保护/芯片解除保护的5V只有系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
擦除暂停/擦除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
节目数据到一个扇区一个没有被擦除，然后
恢复的擦除操作。
硬件复位引脚
- 重置内部状态机TEST的阅读模式
20年数据保留
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
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所有无铅器件符合RoHS标准
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概述
该MX29F200C T / B是2兆比特，单5伏闪光
内存组织为1M字X16或2M bytex8 MXIC的
闪存提供最具成本效益和可靠性
能够读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F200C T / B封装采用44引脚SOP和48-
引脚TSOP 。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F200C T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F200C T / B具有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F200C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理和低的内部电场为
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29F200C T / B采用的是5.0V
±
10 ％的Vcc
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1250
REV 。 1.0，十二月14 ， 2005年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
