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MX29F200TMC-12 参数 Datasheet PDF下载

MX29F200TMC-12图片预览
型号: MX29F200TMC-12
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内容描述: 2M- BIT [ 256Kx8 / 128Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY [2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 46 页 / 720 K
品牌: MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29F200T/B
自动编程
该MX29F200T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法不要求系统时间
出序列,或验证编程的数据。该
在MX29F200T / B的典型芯片编程时间
室温下小于2秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度,
验证擦除和计数序列的数量。
连续读周期之间的状态位来回切换
提供反馈给用户来的状态
编程操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机,它控制了擦除和编程
电路。在写周期中,命令寄存器
内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。在一个系统
写周期,地址锁存下降沿,
和数据被锁存在WE的上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平,
可靠性和成本效益。该MX29F200T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节被编程
用热的EPROM编程机制
电子注入。
在一个程序周期中,状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中,命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。经过擦除暂停结束后,
该设备停留在读取模式。状态机之后,
已经完成了它的任务,它将允许命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比2秒少。自动擦除算法
自动程序的整个阵列之前,电
抹去。电擦除的时序和验证是
由设备内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F200T / B为界(S )可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受由装置控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序设置命令(包括2-
解锁写周期和A0H )和一个程序命令
(节目数据和地址)。自动装置
次编程脉冲宽度,验证了亲
克,和计数序列的数量。状态位
类似的数据轮询和之间的状态位来回切换
连续的读周期,提供反馈给用户
以编程操作的状态。
P / N : PM0549
REV 。 1.3 ,十二月24 , 2001年
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