MX29F400C T / B
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS单电压
5V ONLY引导扇区闪存
特点
• 524,288 ×8 / 262,144 ×16切换
•单电源工作
- 仅5.0V的读取，擦除和编程操作
手术
•快速存取时间55 /70 /为90ns
•兼容MX29F400T / B设备
•低功耗
- 40毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
•命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 9US / 11us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ， 8K-
Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X7 ）
•自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
•擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序数据，另一扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除
•状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除周期结束
•就绪/忙脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
•扇区保护/取消保护芯片用于5V系统只
•扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
• 100000最小擦除/编程周期
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
•启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
•低VCC写入禁止等于或小于3.2V
•包装类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
-
所有无铅器件符合RoHS标准
•符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
•20年的数据保存
概述
该MX29F400C T / B为4兆比特闪存或 -
ganized为512K字节的8位或16位的256K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F400C T / B封装采用44引脚SOP ，48引脚
TSOP 。它被设计成可重新编程和擦除
系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F400C T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是55ns ，使操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29F400C T / B已单独的芯片使能（ CE ＃ ）
和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F400C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
P / N ： PM1200
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29F400C T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
REV 。 1.0，十二月20 ， 2005年
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MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
